真空鍍膜的種類（lèi）

 在真空中製（zhì）備膜層，包括（kuò）鍍製晶態（tài）的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜（mó）。雖然化學汽（qì）相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但（dàn）一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真（zhēn）空鍍膜有三種形（xíng）式，即蒸發（fā）鍍膜（mó）、濺射鍍膜和離子鍍。

蒸發鍍膜 通過加熱蒸發某種物（wù）質使其沉積（jī）在固體表麵，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年（nián）提出，現代已成為常用鍍膜（mó）技術之一（yī）。

蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待（dài）鍍工件，如金屬、陶瓷（cí）、塑料等基（jī）片置（zhì）於坩堝前方（fāng）。待係統抽至高真空（kōng）後，加（jiā）熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷（lěng）凝方式沉積在基片表麵。薄（báo）膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決（jué）定於蒸發源（yuán）的（de）蒸發速率和時間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有（yǒu）關。對於大麵積鍍膜（mó），常采用旋轉（zhuǎn）基片（piàn）或多蒸（zhēng）發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從（cóng）蒸發源到基片的距離應小於蒸（zhēng）氣分子在殘餘氣體中（zhōng）的平均自由程，以免蒸氣分（fèn）子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。

蒸發源有三種類型。①電阻加（jiā）熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它（tā）上方的或置於坩堝中的蒸發（fā）物質,電（diàn）阻加熱源主要用於蒸發（fā）Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料（liào）。②高頻感應加熱（rè）源：用（yòng）高頻感應電流加（jiā）熱坩堝和蒸發（fā）物質。③電子束加熱源：適用於蒸發溫度較高（不低於（yú）2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。

鍍銠 鍍白金 鍍金 鍍鈀（bǎ）鎳  鍍鈀鎳（niè）廠家   鍍（dù）鈀鎳公司  深圳鍍鈀鎳  陶瓷電鍍